第三代半導體發展之碳化硅（SiC）
發布日期:2021-01-06
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隨著節能減排、新能源并網、智能電網的發展，這些領域對功率半導體器件的性能指標和可靠性的要求日益提高，要求器件有更高的工作電壓、更大的電流承載能力、更高的工作頻率、更高的效率、更高的工作溫度、更強的散熱能力和更高的可靠性。經過半個多世紀的發展，基于硅材料的功率半導體器件的性能已經接近其物理極限。因此，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等為代表的第三代半導體材料的發展開始受到重視。技術領先國家和國際大型企業紛紛投入到碳化硅和氮化鎵的研發和產業化中，產業鏈覆蓋材料、器件、模塊和應用等各個環節。
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